Производитель Номер продукта:
R6025JNZ4C13
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6025JNZ4C13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Подробное описание:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-247G
Инвентаризация:
597 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525312
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6025JNZ4C13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
7V @ 4.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
306W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247G
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6025
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RCX081N20
MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM
RXH070N03TB1
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP
RSS100N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
