Производитель Номер продукта:
R6030ENZ4C13
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6030ENZ4C13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
19 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12851269
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6030ENZ4C13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
305W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6030
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6030ENZ4C13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
IPD60R600P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
FDC654P
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
