R6049YNZ4C13
Производитель Номер продукта:

R6049YNZ4C13

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R6049YNZ4C13-DG

Описание:

NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
Подробное описание:
N-Channel 600 V 49A (Tc) 448W (Tc) Through Hole TO-247G

Инвентаризация:

600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13238648
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R6049YNZ4C13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
82mOhm @ 11A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 2.9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2940 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
448W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247G
Упаковка / Чехол
TO-247-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6049YNZ4C13

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Сертификация DIGI
Связанные продукты
rohm-semi

R6061YNXC7G

NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO

goford-semiconductor

G300N04D3

MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L

goford-semiconductor

G18N50T

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220

goford-semiconductor

G030N06T

MOSFET N-CH 60V 223A TO-220