Производитель Номер продукта:
R6050JNZ4C13
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6050JNZ4C13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247G
Подробное описание:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 615W (Tc) Through Hole TO-247G
Инвентаризация:
545 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850837
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6050JNZ4C13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
83mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
7V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
615W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247G
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6050
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6050JNZ4C13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQD6N50CTM_F080
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
HUFA76437P3
MOSFET N-CH 60V 71A TO220-3
BSP298L6327HUSA1
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
