R6050JNZ4C13
Производитель Номер продукта:

R6050JNZ4C13

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R6050JNZ4C13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 50A TO247G
Подробное описание:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 615W (Tc) Through Hole TO-247G

Инвентаризация:

545 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850837
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R6050JNZ4C13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
83mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
7V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
615W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247G
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6050

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6050JNZ4C13

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQD6N50CTM_F080

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

onsemi

HUFA76437P3

MOSFET N-CH 60V 71A TO220-3

infineon-technologies

BSP298L6327HUSA1

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4

onsemi

FDS6614A

MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC