R6055VNZC17
Производитель Номер продукта:

R6055VNZC17

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R6055VNZC17-DG

Описание:

600V 23A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
Подробное описание:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-3PF

Инвентаризация:

420 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001702
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R6055VNZC17 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
71mOhm @ 16A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
99W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PF
Упаковка / Чехол
TO-3P-3 Full Pack
Базовый номер продукта
R6055VN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6055VNZC17

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
epc

EPC2307ENGRT

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

micro-commercial-components

MCG10P03-TP

MOSFET P-CHANNEL MOSFET

microchip-technology

MSC015SMA070J

MOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227

icemos-technology

ICE15N60

Superjunction MOSFET