Производитель Номер продукта:
R6507ENJTL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6507ENJTL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Подробное описание:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount LPTS
Инвентаризация:
998 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12851448
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6507ENJTL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
390 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LPTS
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
R6507
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
846-R6507ENJTLDKR
846-R6507ENJTLTR
846-R6507ENJTLCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUF76629D3
MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
FDS6689S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
FDG410NZ
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
