Производитель Номер продукта:
R6507KNXC7G
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6507KNXC7G-DG
Описание:
650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Подробное описание:
N-Channel 650 V 7A (Ta) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентаризация:
979 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967359
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6507KNXC7G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
46W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FM
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
R6507
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
846-R6507KNXC7GDKR
846-R6507KNXC7GCT
846-R6507KNXC7GDKRINACTIVE
846-R6507KNXC7GDKR-DG
846-R6507KNXC7GTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RX3L07BGNC16
NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS
R6524KNZ4C13
650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
RW4E045ATTCL1
PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
