R6520KNZ4C13
Производитель Номер продукта:

R6520KNZ4C13

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R6520KNZ4C13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247

Инвентаризация:

334 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12852252
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R6520KNZ4C13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
205mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 630µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
231W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6520

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
R6520KNZ4C13-DG
846-R6520KNZ4C13

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

MCH6331-TL-H

MOSFET P-CH 30V 3.5A 6MCPH

vishay-siliconix

IRFI9Z24GPBF

MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3

infineon-technologies

IRF7468

MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO

infineon-technologies

IPD050N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3