Производитель Номер продукта:
R6524KNX3C16
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6524KNX3C16-DG
Описание:
650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 253W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
163 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967383
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6524KNX3C16 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
185mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 750µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1850 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
253W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
R6524
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
846-R6524KNX3C16DKR
846-R6524KNX3C16DKR-DG
846-R6524KNX3C16CT
846-R6524KNX3C16DKRINACTIVE
846-R6524KNX3C16TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RQ3G110ATTB
PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
PSMN9R5-100PS,127
NEXPERIA PSMN9R5-100PS - 89A, 10
SCT2160KEGC11
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
