Производитель Номер продукта:
R6530KNX3C16
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6530KNX3C16-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 307W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
997 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986395
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6530KNX3C16 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 960µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
307W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
R6530
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
846-R6530KNX3C16
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9Y13-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
DMP3056LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
NVMFWS016N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
