Производитель Номер продукта:
R6535ENZ4C13
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6535ENZ4C13-DG
Описание:
650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Подробное описание:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247G
Инвентаризация:
571 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996280
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6535ENZ4C13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
115mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1.21mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
379W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247G
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6535
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6535ENZ4C13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCAC75N06YB-TP
MOSFET N-CH DFN5060
SI3134KEA-TP
N-CHANNEL MOSFET
