R8008ANJGTL
Производитель Номер продукта:

R8008ANJGTL

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R8008ANJGTL-DG

Описание:

NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Подробное описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-263S

Инвентаризация:

921 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977947
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R8008ANJGTL Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.03Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
195W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263S
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
R8008

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
846-R8008ANJGTLDKR
846-R8008ANJGTLTR
846-R8008ANJGTLCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TQM070NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU

infineon-technologies

IPT60R105CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF

genesic-semiconductor

G3R160MT12J

SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7

vishay-siliconix

IRFR014PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK