Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
R8010ANX
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R8010ANX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Подробное описание:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13524383
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R8010ANX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
560mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1750 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FM
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
R8010
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
TO220FM MOS Reliability Test
Технические характеристики
R8010ANX
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SPA11N80C3XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2180
Номер части
SPA11N80C3XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.26
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK7A60W,S4VX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
50
Номер части
TK7A60W,S4VX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.72
Тип замещения
Similar
Номер детали
STF11N60M2-EP
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
998
Номер части
STF11N60M2-EP-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.67
Тип замещения
Similar
Номер детали
STF10NM60ND
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
378
Номер части
STF10NM60ND-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.87
Тип замещения
Similar
Номер детали
R8009KNXC7G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1871
Номер части
R8009KNXC7G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.74
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RTQ020N03TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RSH070P05GZETB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
RVQ040N05TR
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
R6024ENJTL
MOSFET N-CH 600V 24A LPTS