Производитель Номер продукта:
RD3G600GNTL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RD3G600GNTL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Подробное описание:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
2466 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526821
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RD3G600GNTL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3400 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
RD3G600
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
RD3G600GNTLDKR
RD3G600GNTLCT
RD3G600GNTLTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD130N4F6AG
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
STD130N4F6AG-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.68
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6030KNX
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
RS3L045GNGZETB
MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
R8008ANX
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
