Производитель Номер продукта:
RD3L08BGNTL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RD3L08BGNTL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Подробное описание:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
1415 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525521
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RD3L08BGNTL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3620 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
119W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
RD3L08
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
RD3L08BGNTLDKR
RD3L08BGNTLTR
RD3L08BGNTLCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK6R7P06PL,RQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
22356
Номер части
TK6R7P06PL,RQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.31
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6035ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
RTU002P02T106
MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3
RSJ300N10TL
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
