Производитель Номер продукта:
RDN050N20FU6
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RDN050N20FU6-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
Подробное описание:
N-Channel 200 V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
Инвентаризация:
13527298
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RDN050N20FU6 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
720mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
292 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FN
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
RDN050
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RZL025P01TR
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
SCT2280KEC
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
RDN080N25FU6
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
