Производитель Номер продукта:
RDN120N25
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RDN120N25-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN
Подробное описание:
N-Channel 250 V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
Инвентаризация:
13527520
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RDN120N25 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1224 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FN
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
RDN120
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R5013ANXFU6
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
RHK005N03T146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
R6006ANX
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
