Производитель Номер продукта:
RF4E080GNTR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RF4E080GNTR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Инвентаризация:
782 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13524880
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RF4E080GNTR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
295 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
HUML2020L8
Упаковка / Чехол
8-PowerUDFN
Базовый номер продукта
RF4E080
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RF4E080GNTRTR
RF4E080GNTRDKR
RF4E080GNTRCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RQ5E070BNTCL
MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
RQ5E035ATTCL
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
