Производитель Номер продукта:
RF4G100BGTCR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RF4G100BGTCR-DG
Описание:
NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Подробное описание:
N-Channel 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8S
Инвентаризация:
2790 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997414
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RF4G100BGTCR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
530 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN2020-8S
Упаковка / Чехол
8-PowerUDFN
Базовый номер продукта
RF4G100
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-RF4G100BGTCRDKR
846-RF4G100BGTCRTR
846-RF4G100BGTCRCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVH4L020N090SC1
SIC MOSFET 900V TO247-4L
PJMF390N65EC_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
PH6030DLVX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
