RF4L055GNTCR
Производитель Номер продукта:

RF4L055GNTCR

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

RF4L055GNTCR-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Подробное описание:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8

Инвентаризация:

15176 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525058
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RF4L055GNTCR Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
HUML2020L8
Упаковка / Чехол
8-PowerUDFN
Базовый номер продукта
RF4L055

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RF4L055GNTCRCT
RF4L055GNTCRDKR
RF4L055GNTCRTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
rohm-semi

R6030JNZC8

MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

rohm-semi

RSH065N06TB1

MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP

rohm-semi

RRH075P03TB1

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

rohm-semi

RMW280N03TB

MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP