Производитель Номер продукта:
RGT50NS65DGTL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RGT50NS65DGTL-DG
Описание:
IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS
Подробное описание:
IGBT Trench Field Stop 650 V 48 A 194 W Surface Mount LPDS
Инвентаризация:
1000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525740
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RGT50NS65DGTL Технические характеристики
Категория
IGBTs, Однокристальные IGBT
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип IGBT
Trench Field Stop
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
650 V
Ток - коллектор (IC) (макс.)
48 A
Ток - коллекторный импульсный (Icm)
75 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Мощность - Макс
194 W
Коммутационная энергия
-
Тип входных данных
Standard
Плата за выход на посадку
49 nC
Td (вкл/выкл) @ 25°C
27ns/88ns
Условия испытания
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr)
58 ns
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект устройства поставщика
LPDS
Базовый номер продукта
RGT50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
RGT50NS65DGTLTR
RGT50NS65DGTLDKR
RGT50NS65DGTLCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RGW80TK65GVC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
RGW80TS65GC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
RGW00TK65GVC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
