Производитель Номер продукта:
RH6L040BGTB1
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RH6L040BGTB1-DG
Описание:
NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Инвентаризация:
24833 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997780
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RH6L040BGTB1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.1mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1320 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
59W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSMT (3.2x3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
RH6L040
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-RH6L040BGTB1TR
846-RH6L040BGTB1DKR
846-RH6L040BGTB1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RCJ331N25TL
250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
2SK4150TZ-E
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
RW4E045AJTCL1
NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
