Производитель Номер продукта:
RJ1L12BGNTLL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RJ1L12BGNTLL-DG
Описание:
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Инвентаризация:
2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12975453
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RJ1L12BGNTLL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9000 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
192W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AB
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
RJ1L12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
846-RJ1L12BGNTLLCT
846-RJ1L12BGNTLLTR
846-RJ1L12BGNTLLDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MSC080SMA120SA
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
PMPB45EPAX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN
MCQ12N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOP-8
