Производитель Номер продукта:
RP1E090XNTCR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RP1E090XNTCR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Инвентаризация:
13524340
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RP1E090XNTCR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.8 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
440 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
MPT6
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Базовый номер продукта
RP1E090
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
RP1E090XNTCRCT
RP1E090XNTCRDKR
RP1E090XNTCRTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RSD080P05TL
MOSFET P-CH 45V 8A CPT3
RZF013P01TL
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
RS1E280BNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
