Производитель Номер продукта:
RQ1C065UNTR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RQ1C065UNTR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Подробное описание:
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Инвентаризация:
2855 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13524247
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RQ1C065UNTR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
870 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TSMT8
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
RQ1C065
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RQ1C065UNTRDKR-ND
RQ1C065UNCT
RQ1C065UNDKR
RQ1C065UNTRCT-ND
RQ1C065UNTRTR-ND
RQ1C065UNTRDKR
RQ1C065UNTRTR
RQ1C065UNTRCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6020ENZC8
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
RQ3C150BCTB
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
RS1L120GNTB
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
