Производитель Номер продукта:
RQ3E070BNTB
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RQ3E070BNTB-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Подробное описание:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Инвентаризация:
6697 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525893
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RQ3E070BNTB Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
27mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
410 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSMT (3.2x3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
RQ3E070
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RQ3E070BNTBDKR
RQ3E070BNTBCT
RQ3E070BNTBTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6020ANJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
RD3L080SNTL1
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
R6004ENJTL
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS