Производитель Номер продукта:
RQ3E100ATTB
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RQ3E100ATTB-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Подробное описание:
P-Channel 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Инвентаризация:
8342 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526327
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RQ3E100ATTB Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 31A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSMT (3.2x3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
RQ3E100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RQ3E100ATTBDKR
RQ3E100ATTBCT
RQ3E100ATTBTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RTR040N03TL
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
RZF020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
RP1E100XNTR
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6