Производитель Номер продукта:
RQ3L050GNTB
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RQ3L050GNTB-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Подробное описание:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 14.8W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Инвентаризация:
14048 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525706
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RQ3L050GNTB Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
61mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
300 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
14.8W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSMT (3.2x3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
RQ3L050
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RQ3L050GNTBTR
RQ3L050GNTBDKR
RQ3L050GNTBCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RJ1P12BBDTLL
MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
RUF025N02TL
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
RSH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
