Производитель Номер продукта:
RQ6E085BNTCR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RQ6E085BNTCR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Подробное описание:
N-Channel 30 V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Инвентаризация:
3490 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526693
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RQ6E085BNTCR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TSMT6 (SC-95)
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
RQ6E085
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RQ6E085BNTCRCT
RQ6E085BNTCRDKR
RQ6E085BNTCRTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SCT2080KEHRC11
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
ZDX130N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
RCX300N20
MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
