Производитель Номер продукта:
RS1E130GNTB
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RS1E130GNTB-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 3W (Ta), 22.2W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Инвентаризация:
1178 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525749
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RS1E130GNTB Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
420 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 22.2W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSOP
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
RS1E
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
RS1E130GNTBTR
RS1E130GNTBCT
RS1E130GNTBDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PJQ5412_R2_00001
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Panjit International Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2969
Номер части
PJQ5412_R2_00001-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.12
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RRR030P03TL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
RP1E070XNTCR
MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
RD3P130SPFRATL
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
