Производитель Номер продукта:
RS1E170GNTB
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RS1E170GNTB-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Инвентаризация:
1959 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13080530
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RS1E170GNTB Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
720 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 23W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSOP
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
RS1E
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-RS1E170GNTR
846-RS1E170GNTBCT
RS1E170GNTBTR
RS1E170GNTBDKR
RS1E170GNTBCT
846-RS1E170GNTBDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RSR020N06HZGTL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
RSQ035N06HZGTR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6
CMS25N03V8-HF
MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN