Производитель Номер продукта:
RS1E321GNTB1
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RS1E321GNTB1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Инвентаризация:
4800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13524414
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RS1E321GNTB1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2850 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSOP
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
RS1E
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
RS1E321GNTB1CT
RS1E321GNTB1TR
RS1E321GNTB1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RD3H160SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
R6047ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
RSS125N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
