RS1G120MNTB
Производитель Номер продукта:

RS1G120MNTB

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

RS1G120MNTB-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Подробное описание:
N-Channel 40 V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Инвентаризация:

18744 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526375
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RS1G120MNTB Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16.2mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
570 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSOP
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
RS1G

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
RS1G120MNTBCT
RS1G120MNTBDKR
RS1G120MNTBTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
rohm-semi

RSM002N06T2L

MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3

rohm-semi

RSF014N03TL

MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3

rohm-semi

SCT3040KLHRC11

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

rohm-semi

RS1P600BETB1

MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP