Производитель Номер продукта:
RS6P100BHTB1
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RS6P100BHTB1-DG
Описание:
NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Подробное описание:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Инвентаризация:
2725 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987311
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RS6P100BHTB1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.9mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2880 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSOP
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-RS6P100BHTB1CT
846-RS6P100BHTB1TR
846-RS6P100BHTB1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT10H9M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
G3401L
P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
DMP2900UT-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
