Производитель Номер продукта:
RT1C060UNTR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RT1C060UNTR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
Подробное описание:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Инвентаризация:
13525411
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RT1C060UNTR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
870 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
650mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSST
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
RT1C060
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RT1C060UNDKR
RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRTR-ND
RT1C060UNTRTR
RT1C060UNTRCT-ND
RT1C060UNTRDKR
RT1C060UNTRDKR-ND
RT1C060UNCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RQ5A040ZPTL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RRQ020P03TCR
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
RRH040P03TB1
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
