RTQ025P02HZGTR
Производитель Номер продукта:

RTQ025P02HZGTR

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

RTQ025P02HZGTR-DG

Описание:

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Инвентаризация:

3051 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939476
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RTQ025P02HZGTR Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
580 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
950mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TSMT6 (SC-95)
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
RTQ025

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-RTQ025P02HZGCT
846-RTQ025P02HZGTR
846-RTQ025P02HZGDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQ3427AEEV-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

vishay-siliconix

SQS484EN-T1_BE3

MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8

vishay-siliconix

SUD35N10-26P-BE3

MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK

rohm-semi

RSS090N03FRATB

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP