Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
RU1J002YNTCL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RU1J002YNTCL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Подробное описание:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
Инвентаризация:
878143 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526663
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RU1J002YNTCL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
0.9V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 1mA
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
26 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
UMT3F
Упаковка / Чехол
SC-85
Базовый номер продукта
RU1J002
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
UMT3F MOS Reliability Test
Ресурсы для проектирования
UMT3F Inner Structure
Технические характеристики
RU1J002YNTCL
UMT3 T106 Taping Spec
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RU1J002YNTCLTR
RU1J002YNTCLCT
RU1J002YNTCLDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6035KNZC8
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
RSD150N06TL
MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
RQ5E040RPTL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
R6020JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM