RV4E031RPTCR1
Производитель Номер продукта:

RV4E031RPTCR1

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

RV4E031RPTCR1-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6
Подробное описание:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 1.5W Surface Mount, Wettable Flank DFN1616-6W

Инвентаризация:

12968211
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RV4E031RPTCR1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
105mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.8 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
460 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
DFN1616-6W
Упаковка / Чехол
6-PowerWFDFN
Базовый номер продукта
RV4E031

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-RV4E031RPTCR1TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPD19DP10NMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3

infineon-technologies

ISP98DP10LMXTSA1

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4

infineon-technologies

IPT013N08NM5LF

SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V

infineon-technologies

IPD18DP10LMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3