Производитель Номер продукта:
RW1E025RPT2CR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RW1E025RPT2CR-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Подробное описание:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Инвентаризация:
13524454
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RW1E025RPT2CR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
75mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
480 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-WEMT
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Базовый номер продукта
RW1E025
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
RW1E025RPT2CRCT
RW1E025RPT2CRDKR
RW1E025RPT2CRTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SSM6J214FE(TE85L,F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
19745
Номер части
SSM6J214FE(TE85L,F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R8005ANX
MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
RD3H045SPTL1
MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
RF6E045AJTCR
MOSFET N-CHANNEL 30V 4.5A TUMT6
