Производитель Номер продукта:
SCT3022ALGC11
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT3022ALGC11-DG
Описание:
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Подробное описание:
N-Channel 650 V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Инвентаризация:
1695 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13527008
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT3022ALGC11 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.6V @ 18.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
133 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2208 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
339W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247N
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT3022
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RSD201N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
RV2C014BCT2CL
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
RT1A045APTCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
