Производитель Номер продукта:
SCT3022KLGC11
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT3022KLGC11-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 95A (Tc) 427W Through Hole TO-247N
Инвентаризация:
221 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525685
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT3022KLGC11 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.6V @ 18.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+22V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2879 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
427W
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247N
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT3022
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RQ5A030APTL
MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
