Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SCT3040KLGC11
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT3040KLGC11-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 55A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
Инвентаризация:
988 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13527214
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT3040KLGC11 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.6V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1337 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
262W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247N
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT3040
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
MOS-3GTHD Reliability Test
Ресурсы для проектирования
TO-247N Inner Structure
Технические характеристики
SCT3040KLGC11
TO-247N Taping Spec
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RQ5C035BCTCL
MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
RUF020N02TL
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
RS1E320GNTB
MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N