Производитель Номер продукта:
SCT3080KW7TL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT3080KW7TL-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 159W Surface Mount TO-263-7
Инвентаризация:
785 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945375
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT3080KW7TL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.6V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
785 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
159W
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
SCT3080
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
846-SCT3080KW7TLTR
846-SCT3080KW7TLDKR
846-SCT3080KW7TLCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
G3R75MT12J
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
GeneSiC Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4
Номер части
G3R75MT12J-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
10.37
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
G3R75MT12J
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
G3R40MT12J
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
