Производитель Номер продукта:
SCT3120ALHRC11
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT3120ALHRC11-DG
Описание:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Подробное описание:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W Through Hole TO-247N
Инвентаризация:
2250 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526631
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT3120ALHRC11 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.6V @ 3.33mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
460 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
103W
Рабочая температура
175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247N
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT3120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIHG22N60E-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
498
Номер части
SIHG22N60E-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.88
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RUF025N02FRATL
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
R6003KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
RSS090N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
