Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
US6M11TR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
US6M11TR-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount TUMT6
Инвентаризация:
13750 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525404
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
US6M11TR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V, 12V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A, 1.3A
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
110pF @ 10V
Мощность - Макс
1W
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Комплект устройства поставщика
TUMT6
Базовый номер продукта
US6M11
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
TUMT6 MOS Reliability Test
Ресурсы для проектирования
TUMT6D Inner Structure
Технические характеристики
US6M11TR
TUMT6 TR Taping Spec
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
US6M11CT
US6M11DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SH8M12TB1
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
SH8M11TB1
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
UM6K1NTN
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT6
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6