Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
VT6J1T2CR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
VT6J1T2CR-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13525132
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
VT6J1T2CR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Last Time Buy
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15pF @ 10V
Мощность - Макс
120mW
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Комплект устройства поставщика
VMT6
Базовый номер продукта
VT6J1
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
VMT6 MOS Reliability Test
Ресурсы для проектирования
VMT6 Inner Structure
Технические характеристики
VT6J1T2CR
VMT6 T2R Taping Spec
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
VT6J1T2CRCT
VT6J1T2CRDKR
VT6J1T2CRTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
EM6J1T2R
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
12037
Номер части
EM6J1T2R-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.11
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SH8M51GZETB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
TT8J13TCR
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8TSST
QS8J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
QS8K2TR
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8