Производитель Номер продукта:
VT6M1T2CR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
VT6M1T2CR-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Инвентаризация:
64626 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525860
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
VT6M1T2CR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7.1pF @ 10V
Мощность - Макс
120mW
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Комплект устройства поставщика
VMT6
Базовый номер продукта
VT6M1
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
US6K1TR
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
US6K4TR
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
QH8MA4TCR
MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
