Производитель Номер продукта:
2SC3599E
Product Overview
Производитель:
Sanyo
Номер детали:
2SC3599E-DG
Описание:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 300 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Инвентаризация:
4405 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12941634
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC3599E Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
300 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
120 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
600mV @ 7mA, 70mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Мощность - Макс
1.2 W
Частота - переход
500MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
460
Другие названия
ONSSNY2SC3599E
2156-2SC3599E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SC3595D
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC4455Q-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC2463DETL-E
0.1A, 40V
