Производитель Номер продукта:
2SC6017-H-TL-E
Product Overview
Производитель:
Sanyo
Номер детали:
2SC6017-H-TL-E-DG
Описание:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 10 A 200MHz 950 mW Surface Mount DPAK/TP-FA
Инвентаризация:
1314 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12941187
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SC6017-H-TL-E Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
10 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
360mV @ 250mA, 5A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
Мощность - Макс
950 mW
Частота - переход
200MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект устройства поставщика
DPAK/TP-FA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,314
Другие названия
ONSSNY2SC6017-H-TL-E
2156-2SC6017-H-TL-E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SD2223-E-SY
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC536E-SPA-AC
SMALL SIGNAL NPN SILICON
BCP53H,115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR