MJ11028G
Производитель Номер продукта:

MJ11028G

Product Overview

Производитель:

Sanyo

Номер детали:

MJ11028G-DG

Описание:

HIGH-CURRENT NPN SILICON POWER T
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Инвентаризация:

2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946689
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MJ11028G Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
50 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
3.5V @ 500mA, 50A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
2mA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
1000 @ 25A, 5V
Мощность - Макс
300 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-204AE
Комплект устройства поставщика
TO-204 (TO-3)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
23
Другие названия
ONSONSMJ11028G
2156-MJ11028G

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

KSC1008GBU

TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3

fairchild-semiconductor

MJ11033G

HIGH-CURRENT PNP SILICON POWER T

stmicroelectronics

BU941ZP

TRANS NPN DARL 350V 15A TO247-3

fairchild-semiconductor

FJL4315OTU

TRANS NPN 250V 17A HPM F2